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Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe (1993)
Rossi, J C; Lubeshev, D I; Basmaji, Pierre; Pizzani, P S; Galzerani, J C; Notari, A C
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ROSSI, J C et al. Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. 1993, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1993. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Rossi, J. C., Lubeshev, D. I., Basmaji, P., Pizzani, P. S., Galzerani, J. C., & Notari, A. C. (1993). Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rossi JC, Lubeshev DI, Basmaji P, Pizzani PS, Galzerani JC, Notari AC. Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2024 maio 08 ]
Vancouver
Rossi JC, Lubeshev DI, Basmaji P, Pizzani PS, Galzerani JC, Notari AC. Propriedades opticas de filmes 'GA''AS' crescidos a baixa temperatura por mbe. Programa e Resumos. 1993 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio (1992)
Basmaji, Pierre; Schrappe, B; Notari, A C
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
BASMAJI, Pierre e SCHRAPPE, B e NOTARI, A C. Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Basmaji, P., Schrappe, B., & Notari, A. C. (1992). Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Basmaji P, Schrappe B, Notari AC. Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 maio 08 ]
Vancouver
Basmaji P, Schrappe B, Notari AC. Centro dx em estruturas 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' altamente dopada com selenio. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares (1992)
Notari, A C; Schrappe, B J; Basmaji, Pierre
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
NOTARI, A C e SCHRAPPE, B J e BASMAJI, Pierre. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. 1992, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Notari, A. C., Schrappe, B. J., & Basmaji, P. (1992). Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 maio 08 ]
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Notari AC, Schrappe BJ, Basmaji P. Propriedades eletricas de pocos quanticos 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE' (1991)
Notari, A C; Basmaji, Pierre; Schrappe, B; Ranz, E; Portal, J C
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
NOTARI, A C et al. Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Schrappe, B., Ranz, E., & Portal, J. C. (1991). Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Schrappe B, Ranz E, Portal JC. Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2024 maio 08 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Schrappe B, Ranz E, Portal JC. Centro dx em 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS': 'SE'. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares (1991)
Notari, A C; Bernussi, A A; Schrappe, B; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. 1991, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Notari, A. C., Bernussi, A. A., Schrappe, B., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1991). Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. In Programa e Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2024 maio 08 ]
Vancouver
Notari AC, Bernussi AA, Schrappe B, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Schrappe, B J; Notari, A C; Siu Li, Máximo; Basmaji, Pierre
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHRAPPE, B J et al. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 maio 08 ]
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Schrappe BJ, Notari AC, Siu Li M, Basmaji P. Implementacao e estudo de um sistema de capacitancia-voltagem (c-v) para caracterizacao de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe (1990)
Notari, A C; Lapasse, N; Siu Li, Máximo; Basmaji, Pierre
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A C et al. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Notari, A. C., Lapasse, N., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1990). Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 maio 08 ]
Vancouver
Notari AC, Lapasse N, Siu Li M, Basmaji P. Analise in-situ de rheed de semicondutores iii-v crescidos por mbe. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 maio 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. . Acesso em: 08 maio 2024.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 maio 08 ]
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 maio 08 ]

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